电源芯片-ASP7A84AS

ASP7A84AS是国科安芯研制的一款和TPS7A84A兼容的LDO芯片。具有大电流、低噪声、高电源抑制比、高精度等特点，4 μVRMS输出噪声，3安培负载条件下具有300毫伏的超低压降电压。输入范围1.1 V 到 6.5 V，输出电压范围0.8 V至5.2 V。卓越瞬态响应和可调软启动控制。ASP7A84AS采用先进抗辐照加固设计，可应用于商业航天、核电站等高安全需求场景。

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产品详情

输入电压范围

无偏置电压：1.4 V至6.5 V
带偏置电压：1.1 V至6.5 V

输出电压范围

固定输出电压：0.8 V至3.95 V
可调输出电压：0.8 V 至 5.2 V

在线电压调节和负载变化下，输出精度保持在±1%
最大输出电流为3A
低压降电压：在3A时最大为300mV
高电源抑制比（PSRR）：

1千赫兹时为65分贝
1 MHz时为30分贝

4 μVRMS输出电压噪声
过电流保护、过温保护
工作温度范围：-55°C至+125°C
SEL: ≥37MeV.cm²/mg（商业航天级）
TID: ≥100krad（Si）（商业航天级）

抗辐照：

SEL: ≥37MeV.cm²/mg（商业航天级）
TID: ≥100krad（Si）（商业航天级）

典型应用

FPGA/GPU 内核/serdes供电

卫星通信载荷的 FPGA/GPU等内核/serdes电压低至 0.8V~1.2V，瞬态电流可达数安培，电源芯片纹波大小显著影响芯片工作性能。内核电流随逻辑翻转率剧烈跳变，要求电源在微秒级内响应。ASP7A84AS可在低压差下维持大电流低纹波输出，确保主处理芯片持续稳定工作。

高速 ADC/DAC 与射频前端

卫星星间链路的数传速率可达数十 Gbps，ADC/DAC/本振/混频器的相位噪声直接决定误码率。电源噪声会调制到射频信号上，微伏级的电源扰动即可造成皮秒级时钟抖动。ASP7A84AS 具有良好的 PSRR指标以及较低的固有噪声，为中频/射频链路提供接近理想的直流供电。

CMOS 图像传感器的模拟电源域

高分辨率遥感卫星的 CMOS 图像传感器，其模拟电源轨为像素阵列偏置和列读出放大器供电，电源噪声直接转化为图像噪声。ASP7A84AS 较低的噪声水平确保像CMOS 图像传感器素偏置电压的精确性。

核电站传感器前端供电

核电站安全级测量系统需连续监测反应堆冷却剂温度、压力、中子通量等参数。传感器前端通常包含精密电桥、仪表放大器，其电源噪声会直接转化为测量误差。ASP7A84AS具有全温高精度和低线性调整率，确保了激励电压在长期辐照与温度变化下的稳定性，4μV RMS 噪声则避免噪声通过放大器的电源抑制比耦合至输出。