电源芯片-ASP5050S
ASP5050S是国科安芯研制的一款超低温漂、宽压输入、高精度、输出电压为5.0V的基准电压源芯片。该基准电压源既能拉电流又能灌电流，并具有良好的线性和负载调节能力。ASP5050S应用了创新的芯片设计技术，使用标准而非特定的芯片制造工艺，实现优异的温漂指标和精度性能。其全温范围内的温度漂移可以低于5ppm/℃，同时保持输出电压的绝对精度在±0.04%的范围内波动。该芯片采用先进抗辐照加固设计，具备优良的电压调整率和负载调整率性能以及较低的噪声，使其非常适用于商业航天、核电站等高精度数据采集系统。
产品详情
- 超低温漂系数：≤5ppm/°C
- 高精度：±0.04%
- 低静态电流：1.05mA（典型值）
- 宽输入电压范围：5.5V至36V
- 输出驱动能力：±10mA
- 工作温度范围：-55~125℃
- SEU: ≥37MeV.cm²/mg或10−5次/器件.天（商业航天级）
- SEL: ≥37MeV.cm²/mg（商业航天级）
- TID: ≥100krad（Si）（商业航天级）
封装类型：SOIC-8
| 引脚 | 尺寸（毫米） | 尺寸（英寸） | ||||
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最大值 | 典型值 | 最大值 | |
| A | - | - | 1.75 | 0.069 | ||
| A1 | 0.10 | - | 0.225 | 0.004 | 0.009 | |
| A2 | 1.30 | 1.40 | 1.50 | 0.051 | 0.055 | 0.059 |
| A3 | 0.60 | 0.65 | 0.70 | 0.024 | 0.026 | 0.028 |
| b | 0.39 | - | 0.47 | 0.015 | 0.019 | |
| b1 | 0.38 | 0.41 | 0.44 | 0.015 | 0.016 | 0.017 |
| c | 0.20 | - | 0.21 | 0.008 | 0.008 | |
| c1 | 4.80 | 4.90 | 5.00 | 0.189 | 0.193 | 0.197 |
| D | 5.80 | 6.00 | 6.20 | 0.228 | 0.236 | 0.244 |
| E | 5.80 | 6.00 | 6.20 | 0.228 | 0.236 | 0.244 |
| E1 | 3.80 | 3.90 | 4.00 | 0.150 | 0.154 | 0.157 |
| e | 1.27基准 | 0.050基准 | ||||
| h | 0.25 | - | 0.50 | 0.010 | 0.020 | |
| L | 0.50 | - | 0.80 | 0.020 | 0.031 | |
| L1 | 1.05参考 | 0.041参考 | ||||
| θ | 0 | - | 8° | 0 | 8° | |
| A | 最大值(mm) | 最大值(in) | ||||
| 1.350 | — | 1.750 | 0.053 | — | 0.069 | |
| A1 | 0.100 | — | 0.250 | 0.004 | — | 0.010 |
| b | 0.330 | — | 0.510 | 0.013 | — | 0.020 |
| c | 0.190 | — | 0.250 | 0.007 | — | 0.010 |
| D | 4.800 | — | 5.000 | 0.189 | — | 0.197 |
| E | 3.800 | — | 4.000 | 0.150 | — | 0.157 |
| E1 | 5.800 | — | 6.200 | 0.228 | — | 0.244 |
| e | 1.270BSC | 1.270BSC | 1.270BSC | 0.050BSC | 0.050BSC | 0.050BSC |
| L | 0.400 | — | 1.270 | 0.016 | — | 0.050 |
| θ | 0° | — | 8° | 0° | — | 8° |
抗辐照：
- SEU: ≥37MeV.cm²/mg或10−5次/器件.天（商业航天级）
- SEL: ≥37MeV.cm²/mg（商业航天级）
- TID: ≥100krad（Si）（商业航天级）
典型应用
星载SAR合成孔径雷达
极低温漂+低噪声，保证每一路ADC采样增益一致，防止成像幅相失真
抗辐照，在轨长期工作基准电压不会漂移，保证雷达图像辐射定标精度
星载光学遥感相机
星载原子钟驯服、时间频率基准系统（典型应用场景）
星敏感器、姿态控制传感采集板卡
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